CVD管式炉的制备条件说明

CVD管式炉特点：

　　淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。

　　制备的必要条件

　　1) 在沉积温度下，反应物具有足够的蒸气压，并能以适当的速度被引入反应室;

　　2) 反应产物除了形成固态薄膜物质外，都必须是挥发性的;

　　3) 沉积薄膜和基体材料必须具有足够低的蒸气压。

　　何为CVD管式炉?

　　CVD是Chemical Vapor Deposition的简称，是指高温下的气相反应，例如，金属卤化物、有机金属、碳氢化合物等的热分解，氢还原或使它的混合气体在高温下发生化学反应以析出金属、氧化物、碳化物等无机材料的方法。这种技术zui初是作为涂层的手段而开发的，但目前，不只应用于耐热物质的涂层，而且应用于高纯度金属的精制、粉末合成、半导体薄膜等，是一个颇具特征的技术领域。

　　其技术特征在于：⑴高熔点物质能够在低温下合成;⑵析出物质的形态在单晶、多晶、晶须、粉末、薄膜等多种; ⑶不仅可以在基片上进行涂层，而且可以在粉体表面涂层，等。特别是在低温下可以合成高熔点物质，在节能方面做出了贡献，作为一种新技术是大有前途的。

　　例如，在1000℃左右可以合成a-Al2O3、SiC，而且正向更低温度发展。

　　工艺大体分为二种：一种是使金属卤化物与含碳、氮、硼等的化合物进行气相反应;另一种是使加热基体表面的原料气体发生热分解。

　　装置由气化部分、载气精练部分、反应部分和排除气体处理部分所构成。目前，正在开发批量生产的新装置。

　　CVD管式炉是在含有原料气体、通过反应产生的副生气体、载气等多成分系气相中进行的，因而，当被覆涂层时，在加热基体与流体的边界上形成扩散层，该层的存在，对于涂层的致密度有很大影响。这样，由许多化学分子形成的扩散层虽然存在，但其析出过程是复杂的。粉体合成时，核的生成与成长的控制是工艺的重点。

　　作为新的CVD技术，有以下几种：

　　⑴采用流动层的CVD;

　　⑵流体床;

　　⑶热解射流;

　　⑷等离子体CVD;

　　⑸真空CVD，等。